GBI25J-LV spart bis zu 20 % Energie im 24 h Betrieb

Diotec Semiconductor stellt mit dem GBI25J-LV einen hochmodernen Brückengleichrichter im GBI-Single-Inline-Gehäuse vor, der die Energieeffizienz von Server-Stromversorgungen deutlich verbessern kann. Im Vergleich zur Standardversion GBI25J bietet das neue Bauteil einen um 10 Prozent geringeren Spannungsabfall pro Diode. Da zwei Dioden pro Netzhalbwelle leiten, beträgt die gesamte Energieeinsparung an der Eingangsbrücke beeindruckende 20 %.

Der innovative Gleichrichter ist optimiert für Stromversorgungen, die im Dauerbetrieb laufen, wie z.B. in Internet-Serverstationen, Rechenzentren und industriellen Anwendungen. Mit einem Nennausgangsstrom von 25 A bei einer Gehäusetemperatur von 80 °C gewährleistet der GBI25J-LV einen zuverlässigen und effizienten Betrieb. Darüber hinaus bietet er einen Vorwärtsstoßstrom von 325/360 A bei 10/8,3 ms Sinushalbwellen und eine wiederholbare Spitzensperrspannung von 600 V.

Hauptmerkmale

• LowVF-Dioden für geringe Verlustleistung
• Energieeinsparung bis zu 20%
• Kompaktes Single-Inline-Gehäuse
• Verpolungssicherer Einbau
• Einfache Kühlkörpermontage
• Hohe Stoßstrombelastbarkeit

Ideale Anwendungen

• Dauer-Stromversorgungen
• Serverstationen und Computersysteme
• Basisstationen
• Industrielle Steuerungen und Antriebe

Technische Daten

• Nennausgangsstrom: 25 A bei 80 °C Gehäusetemperatur (IFAV)
• Spitzensperrspannung: 600 V (VRRM)
• Vorwärtsspannung: 0,92 V bei 12,5 A / 25°C (VF)
• Sperrstrom: 5 µA bei 1000 V / 25°C (IR)
• GBI Single Inline-Gehäuse

Der Brückengleichrichter GBI25J-LV ist mit seinen energiesparenden Fähigkeiten und seiner robusten Leistung ein entscheidender Faktor für stromintensive Anwendungen, die einen kontinuierlichen Betrieb erfordern. Er wurde für Effizienz und Zuverlässigkeit entwickelt und ist die perfekte Wahl für Unternehmen, die ihre Stromversorgungsleistung optimieren und die Betriebskosten senken wollen.

Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid-MOSFET DIF065SIC020 vor, der sich durch einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on)-Wert von 20mΩ auszeichnet. Er ist im neuen TO-247-4L-Gehäuse untergebracht, das einen vierten Anschluss enthält, auch Kelvin-Source genannt. Es erlaubt schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Verlustleistungen und eine höhere Zuverlässigkeit. Dieses Bauteil ist ideal geeignet für ein umfassendes Portfolio an verschiedensten Anwendungen: Stromversorgungen für Datenserver, Solar-Wechselrichter, industrielle Antriebe und Leistungswandler.

Im Bereich der Leistungselektronik, wo laufend die Energieeffizienz verbessert werden muss, entwickelt sich SiC zu einer vielversprechenden Technologie der nächsten Generation. Sie verspricht überlegene Fähigkeiten, die die konventionellen Leistungs-MOSFETs oder IGBTs auf Siliziumbasis übertreffen, aufgrund des höheren Spannungsdurchbruchs und einer deutlich geringeren Verlustleistung. Durch die Implementierung der Wide-Bandgap-Technologie können diese Bauelemente auch in Hochtemperaturanwendungen zuverlässig arbeiten. Mit einem vergleichsweise geringeren Durchlasswiderstand erzeugen SiC-MOSFETs geringere Schaltverluste pro Zyklus und verbessern den Wirkungsgrad erheblich, während sie gleichzeitig eine höhere Schaltgeschwindigkeit in einem Leistungswandlerystem erlauben. Somit entwickeln sich SiC-MOSFETs zur bevorzugten Lösung für verschiedenste Anwendungen, insbesondere solche, bei denen hohe Spannungen bei sehr hohen Frequenzen geschaltet werden – wo Si-basierte MOSFETs und IGBTs klar eingeschränkt sind.

Merkmale

• Hohe Durchbruchsspannung in Sperrrichtung
• Fortschrittliche Planar-Technologie
• Extrem niedriger Einschaltwiderstand
• Schnelle Schaltzeit bei geringer Kapazität
• Niedrige Gate-Ladung
• Niedrige Gesamt-Schaltenergie

Anwendungen

• Stromversorgungen für Datenserver
• Ladesysteme für Elektrofahrzeuge (EV)
• Solar-Wechselrichter
• Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
• Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
• Schaltnetzteile (SMPS)
• DC/DC-Wandler
• Industrielle Antriebe und Stromversorgungen

Spezifikationen

• 650 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
• Maximal 20 mΩ Einschaltwiderstand (RDSon)
• 100 µA Drain-Source-Leckstrom (IDSS)
• Von -10 V bis 22 V kontinuierliche Gate-Source-Spannung (VGSS)
• Empfohlene Einschalt-Gate-Spannung VGS(on) von 18 V
• Empfohlene Abschalt-Gate-Spannung VGS(off)von -5 V
• 550 W Verlustleistung (Ptot)
• Bis zu 150 A Spitzen-Drainstrom (IDM)
• 0,21 K/W maximaler Wärmewiderstand (RthC)
• -55°C bis +175°C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (Tj)
• Industriestandard-Gehäuse TO-247 mit vier Anschlüssen und Kelvin-Source

Mit dem DIF065SIC020 unterstreicht Diotec sein Engagement, die nächste Generation von Energiewandlern mit langlebiger, hocheffizienter SiC-Technologie zu bestücken. Ganz gleich, ob Sie Datenserver-, Solar-, Industrie- oder EV-Lösungen entwicklen, dieser MOSFET erfüllt die Anforderungen der modernen Leistungselektronik.

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Der DI317-ADD von Diotec ist ein einstellbarer positiver 3-Pin-Spannungsregler, der 100 mA über einen Ausgangsspannungsbereich von 1,25 V bis 37 V liefern kann. Er ist einfach in der Anwendung und benötigt nur zwei externe Widerstände zur Einstellung der Ausgangsspannung. Darüber hinaus verfügt er über eine interne Strombegrenzung, eine thermische Abschaltung und einen sicheren Arbeitsbereich, wodurch er praktisch ausfallsicher ist.

In den meisten festverdrahteten Mess- und Überwachungssystemen, wie z.B. in der Sicherheits- und Prozessautomation, wo Zuverlässigkeit höchste Priorität hat, ist ein zuverlässiges Stromversorgungssystem von entscheidender Bedeutung. Diotec stellt den neuen positiv einstellbaren Spannungsregler DI317-ADD im SO-8 Gehäuse vor. Dieser Regler basiert auf einer bewährten Technologie, die seine Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auch in den anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet. Mit einem Versorgungsspannungsbereich von 4 V bis 40 V ist er der ideale Regler unter anderem für Sicherheits- und Prozessautomatisierungssysteme. Somit können Sensoren sowohl für den Betrieb an 12 V als auch an 24 V DC-Versorgungen ausgelegt werden, ohne dass Komponenten angepasst oder geändert werden müssen. Mit einem Ausgangsstrom von bis zu 100 mA und einer einstellbaren Ausgangsspannung von 1,25 V können diese Regler zum Betrieb verschiedener Sensortypen eingesetzt werden. Sie werden in einem SO-8 Gehäuse geliefert und bieten ein hervorragendes Wärmemanagement sowie eine sehr kleine Grundfläche.

Vor zwei Jahrzehnten war es eine Herausforderung, Geräte an einen Host-Computer anzuschließen. Im Jahr 1994 schloss sich eine Gruppe von Unternehmen zusammen, um diesen Prozess durch die Entwicklung des Universal Serial Bus (USB) zu revolutionieren. USB ersetzte mehrere langsame Verbindungen durch eine einzige, effiziente Schnittstelle für den nahtlosen Datenaustausch zwischen Hostsystemen und Peripheriegeräten.

Dank seiner Einfachheit und Geschwindigkeit entwickelte sich USB schnell zu einem weltweiten Standard. Heute ist jedes Gerät der Unterhaltungselektronik mit einem USB-Anschluss ausgestattet, und die Technologie wird ständig weiterentwickelt, um der wachsenden Nachfrage nach schnelleren Verbindungen und einzigartigen Gerätefunktionen gerecht zu werden.

Wir bei Diotec unterstützen diese Entwicklung mit innovativen Lösungen wie unserem Diodenarray ESDALC208. Dieses Bauteil wurde speziell zum Schutz von Komponenten entwickelt, die an USB-Daten- und Übertragungsleitungen angeschlossen sind, und schützt vor Überspannungen, die durch elektrostatische Entladungen (ESD) und andere Transienten verursacht werden. Es erlaubt sowohl die Begrenzung solcher Transienten als auch deren Ableitung zur Versorgungsspannung oder Masse.

Hauptmerkmale des ESDALC208:

• Ideal für USB 2.0/3.0 Schnittstellen
• Betrieb bei 9V mit hohem Spitzenstrom von 6A
• Kompaktes SOT-26-Gehäuse (2,8 x 1,5 x 1,1 mm)

Wenn Sie einen zuverlässigen ESD-Schutz für Ihre USB-Datenleitungen suchen, bieten die ESD-Dioden von Diotec Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit. Erfahren Sie mehr darüber, wie unsere Lösungen zum Schutz und zur Verbesserung der modernen Konnektivität beitragen!

2 A / 200 V Schottky in DO-214AC/SMA für Server-Backup-Versorgungen

Daten-Server sind rund um die Uhr im Einsatz. Sie sorgen nicht nur dafür, dass wir kommunizieren können, sondern unterstützen viele Dienste unseres elektronisch geprägten Alltags, die uns oft gar nicht in den Sinn kommen. Ein Ausfall der Serverversorgung kann teure Verluste verursachen und im schlimmsten Fall zu kritischen Situationen führen - man denke nur an Notrufe, das Gesundheitswesen oder die Flugsicherung. Aus diesem Grund sind die Serverstationen immer mit einer Notstrom-Batterie ausgestattet, die entweder mit 24 V oder 48 V Gleichstrom betrieben wird.

Die Elektronik für das Batteriemanagement und die Ladeschaltung wird mit 5 V oder sogar 3,3 V versorgt, der typischen Betriebsspannung für Mikrocontroller. Diese Versorgungsspannungen müssen aus der höheren Batteriespannung erzeugt werden. Da die Schaltung vollautomatisch ohne Bedienerschnittstelle arbeitet, sind keine isolierten Schalttopologien erforderlich. Ein einfacher Abwärts- oder Abwärtswandler kann diese Aufgabe mit hoher Effizienz und der erforderlichen Zuverlässigkeit erfüllen. Er besteht aus einem MOSFET und einer so genannten Abwärts-Diode, in der Regel einer Schottky-Diode. Diese werden wegen ihres geringen Durchlassspannungsabfalls und ihrer geringen Schaltverluste ausgewählt.

Als Faustregel gilt, dass der Sicherheitsabstand zwischen der Gleichspannung und der zulässigen Schottky-Sperrspannung zwischen dem Drei- und Sechsfachen des Gleichspannungspegels liegen sollte. Nur so kann ein zuverlässiger Betrieb gewährleistet werden, der sicherstellt, dass potenzielle Spannungsspitzen deutlich unter den maximalen Nennwerten der Schottky-Diode bleiben. Die SK220SMA von Diotec Semiconductor ist eine Hochspannungs-Schottky-Diode mit einer zulässigen Sperrspannung von 200 V und einem Durchlassstrom von nominal 2 A. Sie wird im kleinen, aber leistungsstarken DO-214AC/SMA-Gehäuse mit Abmessungen von nur 5 x 2,7 mm geliefert. Der Spannungsabfall in Vorwärtsrichtung beträgt weniger als 950 mV bei 2 A, und der Leckstrom in Rückwärtsrichtung weniger als 50 µA bei 200 V, alles bei 25°C. Damit eignen sich die Bauteile ideal als Abwärts-Dioden für Notbatterie-Systeme von Datenservern.