Die Rheinmetall NanoLam™-Kondensatoren stellen einen bedeutenden Fortschritt im Bereich des Energiemanagements für Wechselrichter, Ladesysteme und DC-DC-Wandler dar. Sie zeichnen sich durch eine höhere Kapazitätsdichte und Temperaturstabilität aus und bieten ideale Gehäuseoptionen bei sehr niedriger Induktivität.

Direkt vor dem Wechselrichter positioniert, fungieren unsere DC-Link-Kondensatoren als kurzfristige Energiespeicher für den Traktionsmotor und verfügen über ein Design, das maßgeblich schwankende Stromanforderungen bewältigt, die die entfernte Batterie nicht schnell genug ausgleichen kann.

Darüber hinaus wird die Vielseitigkeit unserer Kondensatoren durch ihre Anpassungsfähigkeit unterstrichen: Sie sind gleichermaßen effektiv in On-Board-Ladegeräten, DC-DC-Wandlern oder Hilfsantrieben einsetzbar und gewährleisten so eine nahtlose und effiziente Energiewandlung in verschiedenen Anwendungen.

Vorteile

• Neuartiges Produktionsverfahren, das auf der parallelen Abscheidung von Metall- und Dielektrikumssystemen in situ basiert
• Produktionsverfahren ermöglicht ultradünne Schichten mit weniger Einschränkungen und direkten Vorteile in Bezug auf Kapazitätsdichte und ohmsche Verluste.
• Verwendung von Acrylals Dielektrikum, durch Vorteile hinsichtlich:
  • Dielektrizitätskonstante (εR=3,2)
  • Durchbruchspannung
  • Temperaturbeständigkeit
  • Wärmeleitfähigkeit
  • Sauerstoffgehalt für verbesserte Selbstheilungsfähigkeiten
• Rechteckige Form bietet hohe Gehäuseausnutzung und ermöglicht Busbar-Strukturen mit günstigen Kühleigenschaften und niedrigen parasitären Schleifeninduktanzen.

Das Halbleiter-Relais von Rheinmetall ist für Systeme mit einer Leistungsanforderung von bis zu 500 kW ausgelegt. Der halbleiterbasierte Sicherheitsschalter verfügt über ein skalierbares Design, das eine Vielzahl von Anwendungen abdeckt und eine optimale Leistung sowie hohe Zuverlässigkeit gewährleistet. Durch den Einsatz von parallel geschalteten 1200-V-SiC-MOSFETs ermöglicht er ein effizientes Energiemanagement.

Der Schalter ist mit einem integrierten autonomen Überstromschutz mit konfigurierbarer Auslöseschwelle ausgestattet und bietet einen präzisen sowie zuverlässigen Schutz vor Kurzschluss- und Überstromereignissen. Das kommandierte Schalten sowie das Auslesen von Diagnosefunktionen erfolgen über das übergeordnete Batterie-Management-System (BMS). Das reine Schalten über den Halbleitertransistor verhindert die Entstehung von Lichtbögen und ein integrierter RC-Löschkreis sowie eine Freilaufdiode sorgen für einen verbesserten Schutz vor Überspannungen im Abschaltfall.

Durch die Kombination modernster Technologie mit robusten Sicherheitsfunktionen ist dieser Hauptschalter die ideale Wahl für HV Hochleistungssysteme.

Vorteile

• Schnellstmögliche Abschaltung bei minimalen Fehlerströmen
• Autonomes und kommandierbares Schalten
• High-Side- und Low-Side-Topologie
• Bidirektionale Stromführung bei unidirektionaler Stromsperrung
• Reproduzierbare Stromabschaltcharakteristik
• Verbesserte Redundanz (SSR + HVC vs. 2× HVC)
• Verschleißfreies Schalten
• Reduzierte Anforderungen an andere Komponenten (Verschleißminderung, mechanische Stoßunempfindlichkeit)
• Integrierte Strommessung und Diagnose
• Rückstellbarkeit

Das SiC-MOSFET-Halbbrücken-Powermodul von Rheinmetall ist Herzstück einer fortschrittlichen E-Traktions-Wechselrichtertechnologie, entwickelt für highend Elektrofahrzeugantriebe. Das Powermodul ist skalierbar und kann an fahrzeugspezifische Spannungs- und Leistungsanforderungen angepasst werden. Es stehen Konfigurationen für sowohl 750V- als auch 1.200V-Systeme zur Verfügung. Das agnostische Design des MOSFET gewährleistet Anpassungsfähigkeit und Kompatibilität mit einer breiten Palette von Elektrofahrzeugen und ist perfekt für unterschiedliche Bedarfe des Elektromobilitäts-Markts einsetzbar.

Vorteile

• Dual Sided Direct Cooling (DSDC) steht für eine sehr effiziente Transistorkühlung.
• Optimiertes Design mit parasitärer Impedanz ermöglicht ultraschnelles Schalten mit reduzierten Verlusten.
• Durch verbessertes thermisches Budget kleinere SiC-MOSFET-Chipfläche bei gleicher Stromstärke.