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AMB-Siliziumnitrid-Keramik-Kupferverbund-Substrat
AMB-Siliziumnitrid-Keramik-Kupferverbund-Substrat
Beschreibung
Das AMB-Verfahren (Active Metal Brazing) nutzt eine geringe Menge an im Lotmaterial enthaltenen aktiven Elementen (z. B. Titan Ti), die mit der Keramik reagieren und eine reaktive Schicht bilden, die durch das flüssige Lotmaterial benetzt werden kann. Auf diese Weise wird eine Keramik-Metall-Verbindung hergestellt.
Die AMB-Si3N4-Keramik-Kupferverbund-Leiterplatte zeichnet sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Isolationsfestigkeit, große Wärmekapazität und einen an den Chip angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aus. Sie ist ein unverzichtbares Verpackungsmaterial in der Leistungshalbleiterindustrie.

