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AMB-AlN-Keramik-Kupferverbund-Substrat
AMB-AlN-Keramik-Kupferverbund-Substrat
Beschreibung
Das AMB-Verfahren (Active Metal Brazing) nutzt eine geringe Menge an im Lötmaterial enthaltenen aktiven Elementen (z. B. Titan Ti), die mit der Keramik reagieren und eine reaktionsfähige Schicht bilden, die vom flüssigen Lötmaterial benetzt werden kann. Auf diese Weise wird eine Keramik-Metall-Verbindung realisiert.
Das AMB-AlN-Keramik-Kupferverbundmaterial zeichnet sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichnete Isolationsfestigkeit, hohe Wärmekapazität sowie einen an den Chip angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aus. Es ist ein unverzichtbares Verpackungsmaterial in der Leistungshalbleiterindustrie und wird hauptsächlich eingesetzt in: Schienenverkehr, intelligenter Stromübertragung, Elektrofahrzeugen, hochwertigen Weißen Ware sowie der Hochleistungskälteindustrie.

