Mit dem EPC2367 steht ein 100V-GaN-FET mit einem niedrigen RDS(on) von 1,2 mΩ, hoher Effizienz und hervorragendem Wärmeverhalten bereit – Leistungselektronik in den Bereichen KI, Robotik und Automobilelektronik profitiert davon
Efficient Power Conversion (EPC), führender Anbieter von Galliumnitrid-/GaN-Leistungstransistoren und -ICs im Enhancement-/Anreicherungsmodus, stellt mit dem EPC2367 einen 100V-eGaN®-FET der nächsten Generation vor. Er bietet überlegene Leistungsfähigkeit, einen höheren Wirkungsgrad und niedrigere Systemkosten für Anwendungen, die mit Leistungswandlern ausgestattet sind.
Der EPC2367 wurde für Busarchitekturen mit 48 V Zwischenkreisspannung entwickelt und steigert die Leistungsfähigkeit von Stromversorgungssystemen, indem er Verluste reduziert, die Effizienz erhöht und kompaktere und kostengünstigere Designs ermöglicht. Der neue Baustein setzt einen neuen Leistungsmaßstab im Vergleich zu GaN-Lösungen der vorherigen Generation und herkömmlichen Silizium-/Si-MOSFET-basierten Lösungen.
Wesentliche Leistungsmerkmale des EPC2367
- Sehr niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)): 1,2 mΩ – eine Verbesserung von ca. 30% gegenüber den besten Bausteinen der vorherigen Generation.
- Kleinere Grundfläche: 3,3 mm × 3,3 mm QFN-Gehäuse – reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte und verbessert das Wärmeverhalten.
- Beste Schaltleistung (FoM): Der EPC2367 übertrifft den Wettbewerb bei Hard- und Soft-Switching-Anwendungen und bietet hohe Effizienz und geringe Leistungsverluste.
- Verbessertes Wärmeverhalten: Arbeitet unter Last kühler, verbessert die Systemzuverlässigkeit und ermöglicht höhere Leistungsdichten.
- Hohe Zuverlässigkeit bei Temperaturänderungen: 4-mal höhere Temperaturwechselbeständigkeit im Vergleich zu früheren GaN-Generationen – gewährleistet robusten Langzeitbetrieb.
Überlegene In-Circuit-Leistungsfähigkeit
Der EPC2367 wurde in Hard- und Soft-Switching-Anwendungen gründlich getestet. Die Ergebnisse zeigen eine höhere Effizienz über den gesamten Leistungsbereich, mit deutlichen verringerten Verlusten. In einem 1MHz-/1,25kW-System reduziert der EPC2367 die Verluste und erzielt die 1,25-fache Ausgangsleistung im Vergleich zu früheren GaN- und Si-MOSFET-Alternativen.
Alex Lidow, CEO und Mitbegründer von EPC: „Der EPC2367 bringt die GaN-Technologie mit einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand und überlegener Temperaturwechselbeständigkeit voran und ermöglicht Entwicklern, die Effizienz und Leistungsdichte in KI-Servern, Robotik und Fahrzeugsystemen zu steigern.“
Entwicklungsboard
Das Entwicklungsboard EPC90164 ist eine Halbbrücke mit dem EPC2367. Es ist für eine maximale Betriebsspannung von 80 V und einen maximalen Ausgangsstrom von 35 A ausgelegt. Das Board vereinfacht die Evaluierung von Stromversorgungssystemen, um so die Markteinführung von Produkten zu beschleunigen. Es misst 50,8 mm × 50,8 mm (2² × 2²), ist für optimale Schaltleistung ausgelegt und enthält alle kritischen Komponenten für eine einfache Evaluierung.
Preis und Verfügbarkeit
Der Preis für den EPC2367 beträgt 2,81 US-$ pro Stück (ab 3000 Stück).
Der Preis für das Entwicklungsboard EPC90164 beträgt 200 US-$ pro Stück.
Die Produkte sind über jeden EPC-Vertriebspartner erhältlich oder können direkt über die EPC-Website bestellt werden.
