SwissSEM ist ein Technologieführer im Bereich von IGBT und SiC MOSFETs und bietet diese Technologien auch als Chips an:

1200 V i20 fine pattern trench IGBT und d20 FRD

• ICn/IFn = 100, 150, 200 and 250 A
• VCEsat = 1.7 V at ICnom, 25 °C
• Lieferform: Wafer gesägt auf Folie, 300 mm Durchmesser

1700 V i20 fine pattern trench IGBT und d20 FRD

• ICn/IFn = 75, 100, 150 and 200 A
• VCEsat = 1.65 V at ICnom, 25 °C
• Lieferform: Wafer gesägt auf Folie, 200 mm Durchmesser

1200 V i23 micro pattern trench IGBT und d23 FRD

• ICn/IFn = 300 A
• VCEsat = 1.5 V at ICnom, 25 °C
• Lieferform: Wafer gesägt auf Folie, 300 mm Durchmesser

1700 V i23 micro pattern trench IGBT und d23 FRD

• ICn/IFn= 300 A
• VCEsat = 1.7 V at ICnom, 25 °C
• Lieferform: Wafer gesägt auf Folie, 200 mm Durchmesser

1200 V m23 SiC MOSFET

• RDSon = 13 mOhm (RT), 21 mOhm (175 °C)
• VGSth = 2.8 V (RT)
• Lieferform: Wafer gesägt auf Folie, 150 mm Durchmesser